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[实用新型]一种集成电路电源网络层结构-CN202222127988.0有效
发明人：张佳鹏 -专利权人：上海盈方微电子有限公司
申请日： 2022-08-13 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路电源网络层结构，包括高层金属层、过渡层和介电层，所述高层金属层通过过渡层与单元管脚耦接，还包括堆叠通孔，由若干个子通孔依次堆叠而成；过渡层包括横向金属过渡层和纵向金属过渡层；高层金属层、横向金属过渡层、纵向金属过渡层依次堆叠设置，且三者之间的间隙充满有介电层；所述高层金属层沿第一方向布设；横向金属过渡层沿第二方向布设，纵向金属过渡层沿第一方向布设；所述堆叠通孔设置于纵向金属过渡层与单元管脚之间通过堆叠通孔取代了传统布线方式中的大量交叉布设的低层金属线，节约了布线资源，为时钟与信号线的布设留出了空间。
一种集成电路电源网络结构

[发明专利]使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法-CN202210023191.8在审
发明人：郑文豪;李元煌;廖钰文;陈彦羽;朱玄之 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法。电阻存储单元包括下部电极、电阻过渡金属氧化物层和上部电极。下部电极包括至少一个下部金属阻挡层、下部金属层以及过渡金属化合物层，其中下部金属层包括具有高于2000摄氏度的熔点的第一金属，过渡金属化合物层包括选自Ti、Ta和W的过渡金属的氧化物或氮化物。电阻过渡金属氧化物层包括至少一种过渡金属的形成导电细丝的电介质氧化物并且位于过渡金属化合物层上。上部电极包括上部金属层和至少一个上部金属阻挡层，上部金属层包括第二金属包括具有高于2000摄氏度的熔点的第二金属。
使用界面过渡金属化合物电阻存储单元及其形成方法

[发明专利]一种医用金属复合材料-CN201610578678.7有效
发明人：叶雷 -专利权人：重庆润泽医药有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：一种医用金属复合材料，包括金属基体、附着在金属基体上的多孔金属层，在多孔金属层与金属基体之间，有一金属过渡层，金属过渡层厚度不低于金属过渡层相邻的多孔金属层上多孔金属的孔腔壁厚的2倍，与金属过渡层相邻的金属基体表面加工后的表面硬度值是金属过渡层的硬度值的2倍以上，该种医用金属复合材料将多孔金属层产生的应力在低硬度的金属过渡层上缓冲释放，有效地减小了多孔金属层产生的应力对医用金属复合材料的不利作用，提高了医用金属复合材料的寿命。
一种医用金属复合材料

[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法-CN201810232230.9在审
发明人：曾柏皓;李峰旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括：第一电极层、第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层以及第二电极层。其中，第一电极层包括钨(Tungsten，W)。第一过渡金属氧化物(transition metal oxides，TMO)层位于第一电极层上，且包括钛(Titanium，Ti)。第二过渡金属氧化物层，位于第一过渡金属氧化物层上，且包括硅(Silicon，Si)。第二电极层，位于第二过渡金属氧化物层上，且不包括钨。第一过渡金属氧化物层具有大于该第二过渡金属氧化物层的介电常数(dielectric constant)。
过渡金属氧化物层第一电极电阻式存储器元件第二电极过渡金属氧化物介电常数制作

[发明专利]非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置-CN200980101132.0无效
发明人：二宫健生;有田浩二;三河巧;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
非易失性存储元件使用装置

[发明专利]多层的热障涂层-CN200810094927.0无效
发明人： B·S·特赖安;M·J·马洛尼 -专利权人：联合工艺公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本发明提出一种热障涂层系统，该包括基底、在基底上的第一过渡金属层、在第一过渡金属层上的粘结层、可选的在粘结层上的第二过渡金属层和可选的在第二过渡金属层上的陶瓷面层。其中，第一过渡金属层和第二过渡金属层包括铂，以阻止粘结层和基底之间的反应并减慢粘结层的氧化。
多层热障涂层

[实用新型]一种槽式集热器专用的反射镜-CN201521019046.4有效
发明人：官景栋 -专利权人：天津滨海光热反射技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种槽式集热器专用的反射镜，包括玻璃基层、光学过渡层、金属反射层、金属保护层、反射补偿金属过渡层、硬质保护层、软质保护层、镀膜层和保护漆层，所述玻璃基层的表面设有光学过渡层，所述光学过渡层的表面设有金属反射层，所述金属反射层的表面设有金属保护层，所述金属保护层的表面设有反射补偿金属过渡层，所述反射补偿金属过渡层的表面设有硬质保护层，所述硬质保护层的表面设有软质保护层，本槽式集热器专用的反射镜，结构简单，安装方便，通过设置有光学过渡层、金属保护层和反射补偿金属过渡层，反光率有明显提高，增强了反射镜的集热效果，有效的提升了反射镜的使用效率。
一种槽式集热器专用反射

[发明专利]一种金属高硬度超耐磨覆膜工艺-CN201910405426.8在审
发明人：林丽彪 -专利权人：东莞市金材五金有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属高硬度超耐磨覆膜工艺，包括以下步骤；表面清洗；离子刻蚀清洗：先利用Ar离子对载体进行离子刻蚀清洗，再利用金属离子对载体进行离子刻蚀清洗；制备金属过渡层和金属氮化物过渡层：先利用磁控溅射方法在离子刻蚀清洗后载体表面制备金属过渡层，然后利用磁控溅射方法在金属过渡层‑载体的金属过渡层上制备金属氮化物过渡层；制备DLC应力释放层；制备DLC疏水层：利用高功率磁控溅射方法在DLC应力释放层‑金属氮化物过渡层‑金属过渡层‑载体的DLC应力释放层上制备该金属高硬度超耐磨覆膜工艺，AF层为手机防脏污/防指纹镀膜，DLC与AF层完美融合，使得性能有了较大的提升，令AF层的使用寿命比同类产品更为持久。
金属过渡层制备离子刻蚀金属氮化物过渡层应力释放层磁控溅射清洗超耐磨高硬度覆膜疏水层金属表面清洗金属离子使用寿命载体表面高功率再利用镀膜手机脏污离子指纹融合

[实用新型]一种金属管壳的玻璃烧结结构-CN201922024384.1有效
发明人：艾孝谱 -专利权人：昂纳信息技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C03B5/235 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属管玻璃烧结技术领域，特别是一种金属管壳的玻璃烧结结构，其包括金属壳体层，设置在金属壳体层内的金属过渡层，设置在金属过渡层内的玻璃镜片层，以及设置在金属过渡层和玻璃镜片层之间的玻璃焊料层；其中，所述金属过渡层与玻璃焊料层的膨胀系数相同或相近。通过金属壳体层和玻璃镜片层之间增加一个金属过渡层，且所述金属过渡层与玻璃焊料层的膨胀系数相同或相近，在高温烧结过程中，可以有效的防止因金属壳体层和玻璃镜片层的膨胀系数相差较大导致的玻璃镜片层产生裂缝而影响产品性能
一种金属管壳玻璃烧结结构

[发明专利]类金刚石复合涂层及其制备方法与用途以及涂层工具-CN201711430551.1在审
发明人：唐永炳;蒋春磊;石磊;项磊;孟醒 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种类金刚石复合涂层及其制备方法与用途以及涂层工具，涉及复合涂层技术领域，该类金刚石复合涂层包括以层状结构设置的类金刚石表面涂层和复合过渡层；复合过渡层包括依次交替设置的金属涂层、第一金属过渡层、类金刚石中间涂层和第二金属过渡层；第一金属过渡层用于与类金刚石表面涂层结合；金属涂层或第一金属过渡层用于与金属基底结合；沿金属涂层至类金刚石表面涂层的方向，第一金属过渡层中的碳含量逐渐升高，第二金属过渡层中的碳含量逐渐降低，缓解了现有类金刚石层与金属基底结合力较差，易脱落的技术问题，达到提高类金刚石层与金属基底的结合力的目的。
金刚石复合涂层及其制备方法用途以及工具

[实用新型]类金刚石复合涂层及涂层工具-CN201721842720.8有效
发明人：唐永炳;蒋春磊;石磊;项磊;孟醒 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种类金刚石复合涂层及涂层工具，涉及复合涂层技术领域，该类金刚石复合涂层包括以层状结构设置的类金刚石表面涂层和复合过渡层；复合过渡层包括依次交替设置的金属涂层、第一金属过渡层、类金刚石中间涂层和第二金属过渡层；第一金属过渡层用于与类金刚石表面涂层结合；金属涂层或第一金属过渡层用于与金属基底结合；沿金属涂层至类金刚石表面涂层的方向，第一金属过渡层中的碳含量逐渐升高，第二金属过渡层中的碳含量逐渐降低，缓解了现有类金刚石层与金属基底结合力较差，易脱落的技术问题，达到提高类金刚石层与金属基底的结合力的目的。
金属过渡层类金刚石表面涂层金属涂层金属基金刚石复合涂层复合过渡层类金刚石层涂层工具结合力类金刚石复合涂层本实用新型层状结构复合涂层交替设置中间涂层逐渐降低升高缓解

[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管-CN201910579460.7在审
发明人：张海洋;刘思旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有介电层，所述介电层中形成有凹槽；形成保形覆盖所述凹槽的底部和侧壁的初始过渡层，所述初始过渡层的材料为金属氮化物；进行热处理，将所述初始过渡层转化为过渡金属层；形成保形覆盖所述过渡金属层的石墨烯层；去除所述过渡金属层，且去除所述过渡金属层后，所述石墨烯层保形覆盖于所述凹槽的底部和侧壁上；去除所述过渡金属层后，形成填充于所述凹槽的导电层。
半导体结构形成方法晶体管

[发明专利]减小双层前金属介电质层开裂现象的方法-CN201210014805.2无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法、以及所述方法制备的MOS器件，在第一金属介电层和第二金属介电层之间，形成有过渡层，其中，过渡层材质与第二金属介电层材质之间的粘结性大于过渡层与第一金属介电层材质之间的粘结性，由于过渡层原位生长在第一金属介电层上，没有破真空，所以使得过渡层与第一金属介电层之间产生了很好的粘结性；同时过渡层与第二金属介电层性质接近，与第二金属介电层之间也具有良好的粘结性，从而缓解或消除了双层前金属介电层两层薄膜之间的开裂
减小双层金属介电质层开裂现象方法

[发明专利]二维金属/氧化物异质结，其制备方法以及传感器-CN201910082456.X有效
发明人：王博伦;王学雯;刘锴 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维金属/氧化物异质结，其包括二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层，其中，所述二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层在同一二维材料面内形成异质结。该二维金属/氧化物异质结的制备方法为采用激光局部加热该金属性二维过渡金属硫属化合物层，使得该金属性二维过渡金属硫属化合物层的一部分转化为二维过渡金属氧化物层。本发明还涉及一种采用该二维金属/氧化物异质结的传感器。
二维金属氧化物异质结制备方法以及传感器

[发明专利]导线的制造方法和显示面板-CN201710632725.6有效
发明人：丁贤林;陈军;陈启程;张明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底结构上形成过渡层，在形成有过渡层的衬底结构上形成金属层，在形成有金属层的衬底结构上形成第一光刻胶图案，以第一光刻胶图案为掩膜对金属层进行刻蚀，形成金属导线，以第一光刻胶图案为掩膜对过渡层进行刻蚀，形成过渡线，过渡线和金属导线构成导线。本发明通过以第一光刻胶图案作为金属层和过渡层的掩膜进行两次刻蚀，形成导线。解决了相关技术中以金属导线作为掩膜刻蚀过渡层时，刻蚀液可能损伤金属导线的问题，达到了保护金属导线的效果。
导线制造方法显示面板

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